專利名稱：一種帶硅膠保護(hù)層的芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種芯片結(jié)構(gòu)，尤其是一種帶硅膠保護(hù)層的芯片結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，電子行業(yè)也隨之日新月異，而作為新興產(chǎn)業(yè)的各類電子產(chǎn)品廣泛推廣的同時(shí)，電子芯片已逐步成為行業(yè)中的代表之一；以前的可控硅制作工藝，成品存在接觸點(diǎn)不良、耐溫不夠等問題，有待解決。硅膠的作用包括對(duì)芯片進(jìn)行機(jī)械保護(hù)，應(yīng)力釋放，并作為一種電導(dǎo)結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)散熱，以降低芯片結(jié)溫，提高芯片性能。為提高芯片封裝的可靠性，硅膠還具有低吸濕性、低應(yīng)力、耐老化等特性。目前常用的灌封膠包括環(huán)氧樹脂和硅膠。研究表明，硅膠的綜合性能明顯優(yōu)于環(huán)氧樹脂，在大功率芯片封裝中得到廣泛應(yīng)用。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種散熱良好，且防震效果良好的帶硅膠保護(hù)層的芯片結(jié)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:—種帶娃膠保護(hù)層的芯片結(jié)構(gòu)，包括六層結(jié)構(gòu):第六層設(shè)有一銅框架、第五層設(shè)有一絕緣片、第四層設(shè)有一銅片、第三層設(shè)有一娃芯片、第二層涂有一層娃膠、第一層包括一銅質(zhì)管腳或細(xì)銅線，所述的硅膠直接涂于硅片上表面，完全覆蓋硅芯片。 優(yōu)選地，所述的硅芯片為面接觸式開關(guān)元件芯片。由于采用了上述方案，本實(shí)用新型的硅芯片的上層上面涂有一層專用硅膠，硅膠完全覆蓋硅芯片，當(dāng)硅芯片滿足條件觸發(fā)后，硅芯片由于功耗產(chǎn)生的熱量能迅速散發(fā)，避免硅芯片因?yàn)闇囟冗^高而破裂，硅膠有利于降低溫度、壓降，而且還可以起到了防震的作用，隨時(shí)隨地保護(hù)硅芯片，為提高硅芯片封裝的可靠性，硅膠還具有低吸濕性、低應(yīng)力、耐老化等特性，延長(zhǎng)了娃芯片壽命，提聞了娃芯片質(zhì)量。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1_銅框架；2_絕緣片；3_銅片；4_硅片；5_硅膠；6_銅質(zhì)管腳；7_細(xì)銅線；8-安裝孔。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型在可等同替換范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)技術(shù)方案，不限于本實(shí)施例所述的具體例子。如圖1所示，一種帶硅膠保護(hù)層的芯片結(jié)構(gòu)，它包括六層結(jié)構(gòu):由外到內(nèi)依次為:第六層為最外層，第一層為最里層，第六層設(shè)有一銅框架1、第五層設(shè)有一絕緣片2、第四層設(shè)有一銅片3、第三層設(shè)有一硅片4、第二層涂有一層硅膠5、第一層包括一銅質(zhì)管腳6、細(xì)銅線7，所述的銅質(zhì)管腳6通過銅片3與硅片4電連接，所述的細(xì)銅線7直接與硅片4電連接。所述的銅片上設(shè)有一安裝孔8。優(yōu)選地，所述的硅膠5直接涂于硅片4上表面，完全覆蓋硅片4。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域， 均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種帶硅膠保護(hù)層的芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括六層結(jié)構(gòu)，從外至內(nèi)依次為:第六層銅框架、第五層一絕緣片、第四層銅片、第三層硅芯片、第二層硅膠、第一層為銅質(zhì)管腳或細(xì)銅線，所述的硅膠直接涂于硅芯片上表面，完全覆蓋硅芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的帶硅膠保護(hù)層的芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述硅芯片為面接觸式開關(guān)元件芯 片。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種帶硅膠保護(hù)層的芯片結(jié)構(gòu)，包括六層結(jié)構(gòu)，從外至內(nèi)依次為第六層銅框架、第五層一絕緣片、第四層銅片、第三層硅芯片、第二層硅膠、第一層為銅質(zhì)管腳或細(xì)銅線，所述的硅膠直接涂于硅芯片上表面，完全覆蓋硅芯片，由于采用了上述方案，本實(shí)用新型的硅芯片的上層上面涂有一層專用硅膠，硅膠完全覆蓋硅芯片，當(dāng)硅芯片滿足條件觸發(fā)后，硅芯片由于功耗產(chǎn)生的熱量能迅速散發(fā)，避免硅芯片因?yàn)闇囟冗^高而破裂，硅膠有利于降低溫度、壓降，而且還可以起到了防震的作用，隨時(shí)隨地保護(hù)硅芯片，為提高硅芯片封裝的可靠性，硅膠還具有低吸濕性、低應(yīng)力、耐老化等特性，延長(zhǎng)了硅芯片壽命，提高了硅芯片質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L23/31GK203118929SQ20132009753
公開日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月1日
發(fā)明者翁策高 申請(qǐng)人:翁策高