一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。所述制作方法利用噴嘴噴墨打印透明導電材料，形成透明導電結(jié)構(gòu)，由于噴墨打印工藝的定位精確，且噴墨的位置可任意調(diào)整，材料利用率高，能夠極大的節(jié)省原材料，降低生產(chǎn)成本。而且能夠精確在透明導電結(jié)構(gòu)所在區(qū)域的噴墨，直接形成透明導電結(jié)構(gòu)，缺省光刻工藝，簡化工藝流程，提高生產(chǎn)效率。
【專利說明】
一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]磁控派射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposit1n，PVD)成膜工藝的一種，一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多種材料的成膜，沉積過程主要是荷能離子(例如氬離子)轟擊靶材表面，引起靶材表面的各種粒子從靶材表面逃逸出，沉積到基板表面，形成膜層。然而，磁控濺射采用的不均勻磁場會使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，靶材表面消耗均一性較差，需要定期對靶材進行更換，造成嚴重的浪費，從而導致生產(chǎn)成本的增加。通過磁控濺射工藝成膜后，還需對膜層進行光刻工藝，形成所需的膜層圖形，制作過程復雜，而且磁控濺射設(shè)備昂貴。由于透明導電材料價格較高，當通過磁控濺射工藝形成透明導電膜層時，上述缺陷更加明顯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中透明導電結(jié)構(gòu)的制作過程復雜、生產(chǎn)成本高的問題。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例中提供一種顯示基板的制作方法，包括:
[0005]利用噴嘴在基底上噴墨打印透明導電材料，形成透明導電結(jié)構(gòu)。
[0006]本發(fā)明實施例中還提供一種顯示基板，采用如上所述的方法制得。
[0007]本發(fā)明實施例中還提供一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。
[0008]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0009]上述技術(shù)方案中，通過噴墨打印工藝形成顯示基板的透明導電結(jié)構(gòu)，由于噴墨打印工藝的定位精確，且噴墨的位置可任意調(diào)整，材料利用率高，能夠極大的節(jié)省原材料，降低生產(chǎn)成本。而且能夠精確在透明導電結(jié)構(gòu)所在區(qū)域的噴墨，直接形成透明導電結(jié)構(gòu)，缺省光刻工藝，簡化工藝流程，提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1表示本發(fā)明實施例中顯示基板的制作方法流程圖；
[0012]圖2表不本發(fā)明實施例中顯不基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0013]圖3-圖5表示本發(fā)明實施例中顯示基板的制作過程示意圖。
【具體實施方式】
[0014]下面將結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0015]實施例一
[0016]如圖1所示，本實施例中提供一種顯示基板的制作方法，包括:
[0017]S1:利用噴嘴在基底上噴墨打印透明導電材料，形成透明導電結(jié)構(gòu)。
[0018]基于透明導電材料的價格較高，上述制作方法通過噴墨打印工藝形成透明導電結(jié)構(gòu)，由于嗔墨打印工藝的定位精確，且嗔墨的位置可任意調(diào)整，材料利用率尚，能夠極大的節(jié)省原材料，降低生產(chǎn)成本。而且能夠精確在透明導電結(jié)構(gòu)所在區(qū)域的噴墨，直接形成透明導電結(jié)構(gòu)，缺省光刻工藝，簡化工藝流程，提高生產(chǎn)效率。
[0019]所述透明導電材料可以選擇!1120、2110、1102、0(15110、]\%2110、160、120、11'0、1620中的一種。
[0020]一般適用于噴墨打印設(shè)備的材料為液態(tài)或熱塑性材料。為了能夠利用噴墨打印工藝形成透明導電結(jié)構(gòu)，本實施例中的透明導電材料為將透明導電納米顆粒溶解在溶劑中制備的溶液，提供液態(tài)的透明導電材料，以適用于噴墨打印設(shè)備。其中，所述透明導電納米顆粒的直徑小于50nm，優(yōu)選為10?20nm，有利于透明導電材料的成膜，提高成膜均勾性。至于所述透明導電材料的其他參數(shù)，包括濃度、粘度等，可以根據(jù)噴墨打印設(shè)備進行相應(yīng)設(shè)定，以滿足工藝要求。
[0021]本發(fā)明的技術(shù)方案適用于液晶顯示器件、OLED顯示器件等各種類型的顯示器件。
[0022]下面以液晶顯示器件為例，具體介紹本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0023]對于液晶顯示器件，所述顯示基板可以為陣列基板，包括多個像素區(qū)域，參見圖2所示，形成透明導電結(jié)構(gòu)的步驟包括:
[0024]在每一像素區(qū)域形成公共電極I和像素電極2，其中，公共電極I和像素電極2的寬度較大，更有利于通過噴墨打印工藝制備，滿足精度要求。
[0025]當然，公共電極也可以形成在液晶顯示器件的彩膜基板上，同樣，也可以通過本發(fā)明的技術(shù)方案在彩膜基板上形成公共電極，即，所述顯示基板也可以為彩膜基板。
[0026]對于陣列基板，參見圖2-圖5所示，所述制作方法還包括:
[0027]參見圖3所示，在基底100上形成多條柵線和多條數(shù)據(jù)線(圖中未示出)，限定出多個所述像素區(qū)域，基底100為透明基底，例如:玻璃基底、石英基底；
[0028]在每一像素區(qū)域形成薄膜晶體管3，在每一像素區(qū)域形成薄膜晶體管的步驟包括:
[0029]在基底100上形成柵電極4，與所述柵線電性連接。具體的，柵電極4可以與所述柵線一體成型，其中，柵電極4的材料可以選擇Cu，Al ,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如(:11\10，11\(:11\11，10\八1\Mo等;
[0030]形成覆蓋柵電極4的柵絕緣層101，柵絕緣層101的材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。具體的，柵絕緣層101的材料可以是SiNx，Si0x或Si(ON)X;
[0031]在柵絕緣層101上形成有源層5，有源層5可以由硅半導體或金屬氧化物半導體制得；
[0032]形成源電極6和漏電極7，源電極6和漏電極7搭接在有源層5上，源電極6與所述數(shù)據(jù)線電性連接，像素電極2搭接在漏電極7上，參見圖4所示。源電極6和漏電極7的材料可以選擇Cu，Al ,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等；
[0033]形成覆蓋薄膜晶體管3和像素電極2的鈍化層102，公共電極I為狹縫電極，設(shè)置在鈍化層102上，結(jié)合圖2和圖5所示。鈍化層102的材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。具體的，鈍化層102的材料可以是SiNx，Si0x或Si(0N)x。
[0034]上述制作方法中的金屬導電結(jié)構(gòu)，包括柵電極4、柵線、源電極6、漏電極7和數(shù)據(jù)線，以及陣列基板的其他金屬導電結(jié)構(gòu)，可以通過磁控濺射、氣相化學沉積等成膜工藝形成金屬膜層，然后通過光刻工藝(包括光刻膠的涂覆、曝光和顯影、刻蝕、剝離光刻膠等)形成。
[0035]通過上述制作方法制得的陣列基板為底柵型薄膜晶體管陣列基板。當然，底柵型薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)并不局限于圖2中示意的一種，例如:源電極6和漏電極7與有源層5之間，以及源電極6和漏電極7與像素電極2之間還可以形成絕緣層，并通過絕緣層中的過孔實現(xiàn)電性連接，陣列基板還可以不包括公共電極I。即，可以根據(jù)需要對薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)及對應(yīng)的制作工藝進行適應(yīng)性調(diào)整，其都屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0036]需要說明的是，本發(fā)明的技術(shù)方案不僅適用于底柵型薄膜晶體管陣列基板，還適用于頂柵型薄膜晶體管陣列基板、共面型薄膜晶體管陣列基板或采用其他半導體驅(qū)動元件的陣列基板。除了公共電極和像素電極，對于其它透明導電結(jié)構(gòu)，例如:橋接線、跳線，也可以通過本發(fā)明的技術(shù)方案制備。
[0037]當本發(fā)明的技術(shù)方案應(yīng)用在OLED顯示器件上時，所述顯示基板為OLED顯示基板，則OLED的頂電極或底電極可以為透明導電結(jié)構(gòu)，并采用本發(fā)明的技術(shù)方案制備。具體的，對于頂發(fā)射OLED，所述頂電極為透明導電電極。對于底發(fā)射OLED，所述底電極為透明導電電極。
[0038]實施例二
[0039]本實施例中提供一種顯示基板，采用實施例一中的方法制得，顯示基板的透明導電結(jié)構(gòu)通過噴墨打印工藝形成，材料利用率高，能夠極大的節(jié)省原材料，降低生產(chǎn)成本。而且能夠精確在透明導電結(jié)構(gòu)所在區(qū)域的噴墨，直接形成透明導電結(jié)構(gòu)，缺省光刻工藝，簡化工藝流程，提高生產(chǎn)效率。
[0040]其中，所述透明導電結(jié)構(gòu)可以由透明導電納米顆粒制得。具體為，將透明導電納米顆粒溶解在溶劑中制備溶液，從而能夠利用噴墨打印設(shè)備噴墨打印所述溶液，形成所述透明導電結(jié)構(gòu)。
[0041]本發(fā)明的技術(shù)方案適用于液晶顯示器件、OLED顯示器件等各種類型的顯示器件。
[0042]以液晶顯示器件為例，所述顯示基板可以為陣列基板，包括多個像素區(qū)域，參見圖2所示，所述透明導電結(jié)構(gòu)包括位于每一像素區(qū)域的公共電極I和像素電極2。
[0043]當然，公共電極也可以形成在液晶顯示器件的彩膜基板上，同樣，也可以通過本發(fā)明的技術(shù)方案在彩膜基板上形成公共電極，即，所述顯示基板也可以為彩膜基板。
[0044]以底柵型薄膜晶體管陣列基板為例，參見圖2所示，本實施例中的顯示基板具體還包括:
[0045]設(shè)置在基底100上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線(圖中未示出)，限定出多個所述像素區(qū)域；
[0046]位于每一像素區(qū)域的薄膜晶體管3，薄膜晶體管3包括:
[0047]柵電極4，與所述柵線電性連接；
[0048]覆蓋柵電極4的柵絕緣層101;
[0049]設(shè)置在柵絕緣層101上的有源層5;
[0050]搭接在有源層5上的源電極6和漏電極7，源電極6與所述數(shù)據(jù)線電性連接，像素電極2搭接在漏電極7上；
[0051]覆蓋薄膜晶體管3和像素電極2的鈍化層102，公共電極I設(shè)置在鈍化層102上。
[0052]當然，底柵型薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)并不局限于圖2中示意的一種，可以根據(jù)需要對薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)進行適應(yīng)性調(diào)整，其都屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0053]需要說明的是，本發(fā)明的技術(shù)方案不僅適用于底柵型薄膜晶體管陣列基板，還適用于其他類型的陣列基板。除了公共電極和像素電極，對于其它透明導電結(jié)構(gòu)，例如:橋接線、跳線，也可以通過本發(fā)明的技術(shù)方案制備。
[0054]本實施例中還提供一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板，用以提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率，降低成本。
[0055]所述顯示裝置為:液晶顯示面板、OLED顯示面板、液晶顯示器件、OLED顯示器件、電子紙、手機、平板電腦、電視機筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0056]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種顯示基板的制作方法，其特征在于，包括: 利用噴嘴在基底上噴墨打印透明導電材料，形成透明導電結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明導電材料為將透明導電納米顆粒溶解在溶劑中制備的溶液。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述透明導電納米顆粒的直徑小于50nmo4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述透明導電納米顆粒的直徑為10?20nmo5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述顯示基板為陣列基板，包括多個像素區(qū)域，形成透明導電結(jié)構(gòu)的步驟包括: 在每一像素區(qū)域形成公共電極和像素電極。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括: 在所述基底上形成多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，限定出多個所述像素區(qū)域； 在每一像素區(qū)域形成薄膜晶體管，在每一像素區(qū)域形成薄膜晶體管的步驟包括: 在所述基底上形成柵電極，與所述柵線電性連接； 形成覆蓋所述柵電極的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成有源層； 形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極搭接在所述有源層上，所述源電極與所述數(shù)據(jù)線電性連接，所述像素電極搭接在所述漏電極上； 所述制作方法還包括: 形成覆蓋所述薄膜晶體管和像素電極的鈍化層，所述公共電極設(shè)置在所述鈍化層上。7.—種顯示基板，其特征在于，采用權(quán)利要求1-6任一項所述的方法制得。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述透明導電結(jié)構(gòu)由透明導電納米顆粒制得。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板為陣列基板，包括多個像素區(qū)域，所述透明導電結(jié)構(gòu)包括位于每一像素區(qū)域的公共電極和像素電極。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括: 設(shè)置在基底上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，限定出多個所述像素區(qū)域； 位于每一像素區(qū)域的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括: 柵電極，與所述柵線電性連接； 覆蓋柵電極的柵絕緣層； 設(shè)置在柵絕緣層上的有源層； 搭接在所述有源層上的源電極和漏電極，所述源電極與所述數(shù)據(jù)線電性連接，所述像素電極搭接在所述漏電極上； 所述顯示基板還包括: 覆蓋所述薄膜晶體管和像素電極的鈍化層，所述公共電極設(shè)置在所述鈍化層上。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7-10任一項所述的顯示基板。
【文檔編號】H01L27/12GK106098545SQ201610664632
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月12日 公開號201610664632.7, CN 106098545 A, CN 106098545A, CN 201610664632, CN-A-106098545, CN106098545 A, CN106098545A, CN201610664632, CN201610664632.7
【發(fā)明人】李賀飛, 宮奎, 王鋮鋮, 陳程, 安暉
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司