專利名稱：一種離線低壓直流輸出電路及其晶片和晶片布局方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種離線(offline)電路，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及ー種離線低壓直流輸出電路及其晶片和晶片布局方法。
背景技術(shù)：
在很多低功耗的離線應(yīng)用中，通常需要經(jīng)過(guò)整流輸出電壓用以給邏輯電路、喚醒電路、啟動(dòng)電路、轉(zhuǎn)調(diào)器、傳感器、繼電器等供電。圖I為現(xiàn)有離線低壓直流輸出電路50的電路結(jié)構(gòu)示意圖。如圖I所示，離線低壓直流輸出電路50包括變壓器和整流橋，所述變壓器接收交流輸入電壓，并基于交流輸入電壓提供降低的交流電壓；所述整流橋接收降低的交流電壓，并基于降低的交流電壓提供直流輸出。 但是，離線低壓直流輸出電路50需要變壓器來(lái)降低交流輸入電壓，増大了系統(tǒng)的體積和重量，并增加了成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的上述技術(shù)問(wèn)題，提出ー種改進(jìn)的離線低壓直流輸出電路和方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提出了ー種離線低壓直流輸出電路，包括第一輸入端ロ和第二輸入端ロ，用以接收交流輸入信號(hào)；輸出端ロ，用以提供整流輸出信號(hào)；第一耗盡型高壓傳輸晶體管，耦接至第一輸入端ロ接收交流輸入信號(hào)，基于所述交流輸入信號(hào)，所述第一耗盡型高壓傳輸晶體管提供第一電壓；第二耗盡型高壓傳輸晶體管，耦接至第二輸入端ロ接收交流輸入信號(hào)，基于所述交流輸入信號(hào)，所述第二耗盡型高壓傳輸晶體管提供第二電壓；以及整流橋，具有第一輸入端子、第二輸入端子和輸出端子，其第一輸入端子耦接至第一耗盡型高壓傳輸晶體管接收第一電壓，其第二輸入端子耦接至第二耗盡型高壓傳輸晶體管接收第二電壓，其輸出端子耦接至輸出端ロ。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還提出了ー種集成離線低壓直流輸出電路的晶片，包括一系列少子產(chǎn)生器件；一系列N井可合并的器件；一系列不可合并的器件；第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域被分別設(shè)置在晶片的左右兩側(cè)，使得兩者的距離最大化；N型井島，被放置在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間；以及晶片密封環(huán)；其中少子產(chǎn)生器件被放置在第一區(qū)域和第二區(qū)域；N井可合并的器件被放置在N型井島，不可合并的器件被放置在晶片上靠近晶片密封環(huán)處或者靠近晶片邊緣處。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還提出了ー種集成離線低壓直流輸出電路的晶片的布局方法，包括將少子產(chǎn)生器件放置在第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域被設(shè)置在集成電路晶片的左右兩側(cè)井可合并的器件放置在N型井島，其中所述N型井島作為少子匯集區(qū)；將不可合并的器件放置在晶片上靠近晶片密封環(huán)或靠近晶片邊緣處；將敏感型的器件放置在晶片上，并使得敏感型的器件與第一區(qū)域和第二區(qū)域的距離最大化；以及采用少子匯集區(qū)圍繞不可合并的器件。根據(jù)本發(fā)明各方面的上述離線低壓直流輸出電路和集成離線低壓直流輸出電路的晶片及所述集成離線低壓直流輸出電路的晶片的布局方法，減小了晶片面積并降低了成本。


圖I為現(xiàn)有離線低壓直流輸出電路50的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明ー實(shí)施例的離線低壓直流輸出電路100的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖3示意性地示出了圖2所示離線低壓直流輸出電路100中的整流輸出信號(hào)Vtj和交流輸入信號(hào)AC的時(shí)序波形圖；
圖4示意性地示出了典型傳輸晶體管的布局圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施例的離線低壓直流輸出電路200的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖6示出了當(dāng)電路中不包含鎮(zhèn)流電阻206時(shí)第一耗盡型高壓傳輸晶體管203和與之并聯(lián)耦接的組成整流橋205的ニ極管51的等效電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖7示出了當(dāng)電路中包含鎮(zhèn)流電阻206時(shí)第一耗盡型高壓傳輸晶體管203和與之并聯(lián)稱接的組成整流橋205的_■極管51的等效電路結(jié)構(gòu)不意圖；圖8為根據(jù)本發(fā)明又ー實(shí)施例的離線低壓直流輸出電路300的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖9a和圖9b示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成離線低壓直流輸出電路的晶片400的俯視圖；圖10示意性地示出了圖9a和9b所示集成電路晶片的布局設(shè)計(jì)的方法流程圖500 ；圖11示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的基于交流輸入源提供低壓直流輸出的方法流程圖600。
具體實(shí)施例方式下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)注意，這里描述的實(shí)施例只用于舉例說(shuō)明，并不用于限制本發(fā)明。在以下描述中，為了提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解，闡述了大量特定細(xì)節(jié)。然而，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是不必采用這些特定細(xì)節(jié)來(lái)實(shí)行本發(fā)明。在其他實(shí)例中，為了避免混淆本發(fā)明，未具體描述公知的電路、材料或方法。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“一個(gè)示例”或“示例”的提及意味著結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包含在本發(fā)明至少ー個(gè)實(shí)施例中。因此，在整個(gè)說(shuō)明書(shū)的各個(gè)地方出現(xiàn)的短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施例中”、“在實(shí)施例中”、“ー個(gè)示例”或“示例”不一定都指同一實(shí)施例或示例。此外，可以以任何適當(dāng)?shù)慕M合和/或子組合將特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性組合在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中。此外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在此提供的附圖都是為了說(shuō)明的目的，并且附圖不一定是按比例繪制的。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱元件“耦接到”或“耦接到”另一元件時(shí)，它可以是直接耦接或耦接到另一元件或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)稱元件“直接耦接到”或“直接耦接到”另一元件時(shí)，不存在中間元件。相同的附圖標(biāo)記指示相同的元件。這里使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出的項(xiàng)目的任何和所有組合。圖2為根據(jù)本發(fā)明ー實(shí)施例的離線低壓直流輸出電路100的電路結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，所述離線低壓直流輸出電路100包括第一輸入端ロ 101和第二輸入端ロ 102，用以接收交流輸入信號(hào)AC ;輸出端ロ 106，用以提供整流輸出信號(hào)Vtj ;第一耗盡型高壓傳輸晶體管103，耦接至第一輸入端ロ 101接收交流輸入信號(hào)AC，基于所述交流輸入信號(hào)AC，所述第一耗盡型高壓傳輸晶體管103提供第一電壓；第二耗盡型高壓傳輸晶體管104，耦接至第ニ輸入端ロ 102接收交流輸入信號(hào)AC，基于所述交流輸入信號(hào)AC，所述第二耗盡型高壓傳輸晶體管104提供第二電壓；以及整流橋105，具有第一輸入端子105A、第二輸入端子105B和輸出端子105C,其第一輸入端子105Af禹接至第一耗盡型高壓傳輸晶體管103接收第一電壓，其第二輸入端子105B耦接至第二耗盡型高壓傳輸晶體管104接收第二電壓，其輸出端子105C耦接至輸出端ロ 106。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一耗盡型高壓傳輸晶體管103包括第一耗盡型高壓結(jié)型 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(junction field effect transistor, JFET);第二耗盡型高壓傳輸晶體管104包括第二耗盡型高壓JFET。在一個(gè)實(shí)施例中，整流橋105還包括耦接至參考地的第四輸入端子10 。在一個(gè)實(shí)施例中，第一耗盡型高壓傳輸晶體管103和第二耗盡型高壓傳輸晶體管104各包括耦接至參考地的門(mén)極。在一個(gè)實(shí)施例中，所述整流橋105包括四個(gè)ニ極管。所述ニ極管可以包括肖特基ニ極管、常規(guī)ニ極管或基板-集電極連接在一起的雙極型晶體管等所屬技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知的ニ極管。由于第一耗盡型高壓傳輸晶體管103和第二耗盡型高壓傳輸晶體管104在其門(mén)極耦接在參考地時(shí)就存在導(dǎo)電溝道，因此當(dāng)交流輸入信號(hào)AC的絕對(duì)值小于第一/第二耗盡型高壓傳輸晶體管的夾斷電壓Vt吋，整流輸出信號(hào)Vtj跟隨交流輸入電壓；當(dāng)交流輸入信號(hào)AC的絕對(duì)值大于第一 /第二耗盡型高壓傳輸晶體管的夾斷電壓Vt時(shí)，第一 /第二耗盡型高壓傳輸晶體管與整流橋105的連接節(jié)點(diǎn)處的電壓被保持在第一/第二耗盡型高壓傳輸晶體管的夾斷電壓VT。因此，整流輸出信號(hào)\的電壓將等于第一 /第二耗盡型高壓傳輸晶體管的夾斷電壓Vt減去ニ極管的導(dǎo)通壓降VD，即m圖3示意性地示出了圖2所示離線低壓直流輸出電路100中的整流輸出信號(hào)\和交流輸入信號(hào)AC的時(shí)序波形圖。在前述實(shí)施例中，第一耗盡型高壓傳輸晶體管103和第二耗盡型高壓傳輸晶體管104的門(mén)極均耦接至參考地，也就是說(shuō)，第一耗盡型高壓傳輸晶體管103和第二耗盡型高壓傳輸晶體管104的襯底耦接至參考地。在比較典型的應(yīng)用中，傳輸晶體管的門(mén)極包括P型襯底和単獨(dú)的P型注入?yún)^(qū)，其中P型襯底作為底柵，単獨(dú)的P型注入?yún)^(qū)作為頂柵。而傳輸晶體管的溝道為N型井，從而形成一 PN結(jié)，如圖4虛線所示。在N型井夾斷時(shí)，頂柵和底柵連接在一起。當(dāng)上述PN結(jié)正偏時(shí)，少數(shù)載流子(少子)將同時(shí)進(jìn)入P型襯底和N型井(電子作為少數(shù)載流子進(jìn)入P型襯底，空穴作為少數(shù)載流子進(jìn)入N型井)。這種少數(shù)載流子的注入可能會(huì)影響到某些敏感型的電路/器件，如可能造成閉鎖(latch up)或寄生故障。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施例的離線低壓直流輸出電路200的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該離線低壓直流輸出電路200降低了 “少子注入”效應(yīng)、減少了少數(shù)載流子的產(chǎn)生。圖5所示離線低壓直流輸出電路200與圖2所示離線低壓直流輸出電路100相似。與圖2所示離線低壓直流輸出電路100不同的是，圖5所示離線低壓直流輸出電路200進(jìn)一歩包括鎮(zhèn)流電阻206，耦接在第一耗盡型高壓傳輸晶體管203和第二耗盡型高壓傳輸晶體管204的襯底207和參考地之間。在一個(gè)實(shí)施例中，第一耗盡型高壓傳輸晶體管的襯底和第二耗盡型高壓傳輸晶體管襯底耦接在一起。以下結(jié)合圖6和圖7闡述圖5所示離線低壓直流輸出電路200的運(yùn)行過(guò)程。圖6示出了當(dāng)電路中不包含鎮(zhèn)流電阻206時(shí)第一耗盡型高壓傳輸晶體管203和與之并聯(lián)耦接的組成整流橋205的ニ極管51的等效電路結(jié)構(gòu)示意圖。第一耗盡型高壓傳輸晶體管203包括ニ極管31和溝道電阻32。如圖6所示，溝道電阻32和ニ極管51串聯(lián)耦接在交流輸入信號(hào)AC與參考地之間；ニ極管31耦接在交流輸入信號(hào)AC與參考地之間。相對(duì)于串聯(lián)耦接的溝道電阻32與ニ極管51，ニ極管31為電流提供更小阻抗的通路。因此流經(jīng)ニ極管31的電流大于流經(jīng)ニ極管51的電流。而ニ極管31的正向?qū)▽?lái)襯底注入，流 經(jīng)ニ極管31的電流越大，該注入效應(yīng)越強(qiáng)；使得同一晶片上的其他電路也將受到影響。圖7示出了當(dāng)電路中包含鎮(zhèn)流電阻206時(shí)第一耗盡型高壓傳輸晶體管203和與之并聯(lián)耦接的組成整流橋205的ニ極管51的等效電路結(jié)構(gòu)示意圖。如前所述，第一耗盡型高壓傳輸晶體管203包括ニ極管31和溝道電阻32。如圖7所示，溝道電阻32和ニ極管51串聯(lián)耦接在交流輸入信號(hào)AC與參考地之間；ニ極管31和鎮(zhèn)流電阻206串聯(lián)耦接在交流輸入信號(hào)AC與參考地之間。鎮(zhèn)流電阻206増大了ニ極管31通路的阻杭，因此減小了流經(jīng)ニ極管31的電流，從而降低了注入效應(yīng)。圖5所示離線低壓直流輸出電路200其他部分的運(yùn)行方式與圖2所示離線低壓直流輸出電路100相似，為敘述簡(jiǎn)明，此處不再詳述。在一個(gè)實(shí)施例中，鎮(zhèn)流電阻包括寄生電阻或定義電阻(如注入電阻、擴(kuò)散電阻、多晶娃電阻等等。)在一個(gè)實(shí)施例中，鎮(zhèn)流電阻可被有源電路如電荷泵電路代替。圖8為根據(jù)本發(fā)明又ー實(shí)施例的離線低壓直流輸出電路300的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖8所示離線低壓直流輸出電路300與圖5所不尚線低壓直流輸出電路200相似。與圖5所不尚線低壓直流輸出電路200不同的是，圖8所示離線低壓直流輸出電路300包括負(fù)電荷泵306，所述負(fù)電荷泵306取代鎮(zhèn)流電阻206，耦接在第一耗盡型高壓傳輸晶體管303和第二耗盡型高壓傳輸晶體管304的襯底307和參考地之間。在一個(gè)實(shí)施例中，所有其他電路被放置在N型井島(N-we 11 tub)中，使得襯底307被完全作為傳輸晶體管(第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管)的體區(qū)而不與其他器件/電路共享。負(fù)電荷泵為傳輸晶體管的P型體區(qū)和N型溝道提供了反向偏置，使得電流不會(huì)流入。圖8所示離線低壓直流輸出電路300其他部分的運(yùn)行方式與圖2所示離線低壓直流輸出電路100相似，為敘述簡(jiǎn)明，此處不再詳述。如上所述，離線低壓直流輸出電路100/200/300包括兩個(gè)可集成的高壓器件。因此，離線低壓直流輸出電路100/200/300的晶片面積被大大減小，使得成本被進(jìn)ー步降低。在一個(gè)實(shí)施例中，少子注入效應(yīng)可通過(guò)電路的布局減弱。圖9a和圖9b示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成離線低壓直流輸出電路的晶片400的俯視圖。集成離線低壓直流輸出電路的晶片400包括一系列少子產(chǎn)生器件、一系列N井可合并的器件和一系列不可合并的器件。其中N井可合并的器件包括N井電勢(shì)與N型井島相等的器件；不可合井的器件包括N井電勢(shì)與N型井島不同的器件、非浮電位(non-floating)器件(如ニ極管、雙極型器件等等)。在圖9a和圖9b所示實(shí)施例中，晶片400包括第一區(qū)域401和第二區(qū)域402，其中第一區(qū)域401和第二區(qū)域402被分別設(shè)置在晶片400的左右兩側(cè)，使得兩者的距離最大化；N型井島403，被放置在第一區(qū)域401和第二區(qū)域402之間；以及晶片密封環(huán)
404;其中少子產(chǎn)生器件被放置在第一區(qū)域401和第二區(qū)域402，N井可合并的器件被放置在N型井島403，不可合并的器件被放置在晶片上靠近晶片密封環(huán)404處或者靠近晶片邊緣
405處。在一個(gè)實(shí)施例中,N型井島403作為少子匯集區(qū)。在一個(gè)實(shí)施例中，少子匯集區(qū)耦接至一參考電位。
在一個(gè)實(shí)施例中，少子產(chǎn)生器件包括第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，所述參考電位為參考地。在一個(gè)實(shí)施例中，N型井島403包括缺ロ，所述缺ロ靠近晶片密封環(huán)(或晶片邊緣)，以圍繞不可合并的器件，如圖9a所示。在其他實(shí)施例中，N型井島403包括多個(gè)缺ロ，如2個(gè)缺ロ。當(dāng)不可合并的器件較多時(shí)，所述N型井島403的多個(gè)缺ロ將所述不可合并的器件圍繞，如圖9b所示。如上所述，可合并的器件被放置在N型井島403，不可合并的器件被放置在晶片上靠近晶片密封環(huán)404 (或靠近晶片邊緣405)處并被N型井島403 (少子匯集區(qū))圍繞。因此晶片密封環(huán)404或晶片邊緣405將吸收部分游蕩的少子，以進(jìn)一歩阻止少子進(jìn)入敏感型電路/器件。圖10示意性地示出了圖9a和9b所示集成電路晶片的布局設(shè)計(jì)的方法流程圖500。所述方法包括步驟501，將少子產(chǎn)生器件放置在第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域被分別設(shè)置在集成電路晶片的左右兩側(cè)；步驟502，將可合并的器件放置在N型井島，其中所述N型井島作為少子匯集區(qū)；步驟503，將不可合并的器件放置在晶片上靠近晶片密封環(huán)或靠近晶片邊緣處；步驟504，將敏感型的器件放置在晶片上，并使得敏感型的器件與第一區(qū)域和第二區(qū)域的距離最大化；以及步驟505，采用少子匯集區(qū)圍繞不可合并的器件。在一個(gè)實(shí)施例中，少子產(chǎn)生器件包括第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，少子匯集區(qū)包括N型井島。在一個(gè)實(shí)施例中，所述N型井島上形成可選的N型掩埋層，所述少子匯集區(qū)包括所述N型井島和所述N型掩埋層。在一個(gè)實(shí)施例中，敏感型器件包括可被少數(shù)載流子影響的擴(kuò)散器件。圖11示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的基于交流輸入源提供低壓直流輸出的方法流程圖600。所述方法包括步驟601，接收交流輸入電壓；步驟602，響應(yīng)交流輸入電壓產(chǎn)生第一低壓；
步驟603，響應(yīng)交流輸入電壓產(chǎn)生第二電壓；步驟604，整流所述第一電壓和第二電壓以產(chǎn)生所述低壓直流輸出。在一個(gè)實(shí)施例中，在步驟602，第一電壓由第一耗盡型高壓傳輸晶體管產(chǎn)生；在步驟603，第二電壓由第二耗盡型高壓傳輸晶體管產(chǎn)生。在一個(gè)實(shí)施例中,在步驟604,所述整流通過(guò)整流橋?qū)崿F(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管均包括耦接至參考地的門(mén)極。在一個(gè)實(shí)施例中，第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管均包括通過(guò)鎮(zhèn)流電阻耦接至參考地的襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管均包 括通過(guò)有源電路耦接至參考地的襯底。在一個(gè)實(shí)施例中,所述有源電路包括電荷泵。雖然已參照幾個(gè)典型實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，所用的術(shù)語(yǔ)是說(shuō)明和示例性、而非限制性的術(shù)語(yǔ)。由于本發(fā)明能夠以多種形式具體實(shí)施而不脫離發(fā)明的精神或?qū)嵸|(zhì)，所以應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例不限于任何前述的細(xì)節(jié)，而應(yīng)在隨附權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)廣泛地解釋，因此落入權(quán)利要求或其等效范圍內(nèi)的全部變化和改型都應(yīng)為隨附權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種離線低壓直流輸出電路，包括 第一輸入端口和第二輸入端口，用以接收交流輸入信號(hào)； 輸出端口，用以提供整流輸出信號(hào)； 第一耗盡型高壓傳輸晶體管，耦接至第一輸入端口接收交流輸入信號(hào)，基于所述交流輸入信號(hào)，所述第一耗盡型高壓傳輸晶體管提供第一電壓； 第二耗盡型高壓傳輸晶體管，耦接至第二輸入端口接收交流輸入信號(hào)，基于所述交流輸入信號(hào)，所述第二耗盡型高壓傳輸晶體管提供第二電壓；以及 整流橋，具有第一輸入端子、第二輸入端子和輸出端子，其第一輸入端子耦接至第一耗盡型高壓傳輸晶體管接收第一電壓，其第二輸入端子耦接至第二耗盡型高壓傳輸晶體管接收第二電壓，其輸出端子耦接至輸出端口。
2.如權(quán)利要求I所述的離線低壓直流輸出電路，其中所述第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管均包括耦接至參考地的門(mén)極。
3.如權(quán)利要求I所述的離線低壓直流輸出電路，進(jìn)一步包括鎮(zhèn)流電阻，耦接在第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管的襯底和參考地之間。
4.如權(quán)利要求I所述的離線低壓直流輸出電路，其中所述第一耗盡型高壓傳輸晶體管包括第一耗盡型高壓JFET ;第二耗盡型高壓傳輸晶體管包括第二耗盡型高壓JFET。
5.如權(quán)利要求I所述的離線低壓直流輸出電路，其中進(jìn)一步包括有源電路，耦接在第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管的襯底和參考地之間。
6.如權(quán)利要求5所述的離線低壓直流輸出電路，其中所述有源電路包括負(fù)電荷泵。
7.一種集成離線低壓直流輸出電路的晶片，包括 一系列少子產(chǎn)生器件； 一系列N井可合并的器件； 一系列不可合并的器件； 第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域被分別設(shè)置在所述晶片的左右兩側(cè)，使得兩者的距離最大化； N型井島，被放置在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間；以及 晶片密封環(huán)；其中 少子產(chǎn)生器件被放置在第一區(qū)域和第二區(qū)域； N井可合并的器件被放置在N型井島； 不可合并的器件被放置在晶片上靠近晶片密封環(huán)處或者靠近晶片邊緣處。
8.如權(quán)利要求7所述的集成離線低壓直流輸出電路的晶片，進(jìn)一步包括形成在所述N型井島上的N型掩埋層，其中所述N型井島和所述N型掩埋層作為少子匯集區(qū)。
9.如權(quán)利要求7所述的集成離線低壓直流輸出電路的晶片，其中所述少子產(chǎn)生器件包括第一耗盡型高壓傳輸晶體管和第二耗盡型高壓傳輸晶體管。
10.一種如權(quán)利要求7所述的集成離線低壓直流輸出電路的晶片的布局方法，包括 將少子產(chǎn)生器件放置在第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域被分別設(shè)置在所述集成電路晶片的左右兩側(cè)； 將N井可合并的器件放置在N型井島，其中所述N型井島作為少子匯集區(qū)； 將不可合并的器件放置在晶片上靠近晶片密封環(huán)或靠近晶片邊緣處；將敏感型的器件放置在晶片上，并使得敏感型的器件與第一區(qū)域和第二區(qū)域的距離最大化 ；以及 采用少子匯集區(qū)圍繞不可合并的器件。
全文摘要
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種離線低壓直流輸出電路及其晶片和晶片布局方法。所述離線低壓直流輸出電路包括第一輸入端口和第二輸入端口，用以接收交流輸入信號(hào)；輸出端口，用以提供整流輸出信號(hào)；第一耗盡型高壓傳輸晶體管，提供第一電壓；第二耗盡型高壓傳輸晶體管，提供第二電壓；以及整流橋，具有第一輸入端子、第二輸入端子和輸出端子，其第一輸入端子耦接至第一耗盡型高壓傳輸晶體管接收第一電壓，其第二輸入端子耦接至第二耗盡型高壓傳輸晶體管接收第二電壓，其輸出端子耦接至輸出端口。所述離線低壓直流輸出電路減小了晶片面積并降低了成本。
文檔編號(hào)H02M7/12GK102868308SQ20121035817
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者約瑟夫俄依恩扎 申請(qǐng)人:成都芯源系統(tǒng)有限公司