戰(zhàn)術(shù)燈的強(qiáng)弱光控制電路的制作方法
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子電路領(lǐng)域，具體的說(shuō)是涉及一種戰(zhàn)術(shù)燈的強(qiáng)弱光控制電路?！尽颈尘凹夹g(shù)】】
[0002]—般的戰(zhàn)術(shù)燈的LED強(qiáng)弱光控制，單片機(jī)控制恒流芯片的使能端，采用輸出不同的占空比來(lái)驅(qū)動(dòng)恒流源，達(dá)到不同電流，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)弱光控制。現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)是使用單片機(jī)和LED恒流芯片進(jìn)行控制驅(qū)動(dòng)，不僅增加了整個(gè)電路的復(fù)雜程度，還增加了整體的使用成本，另外，檢測(cè)的可靠性較差，不能滿足用戶的要求。
[0003]上述缺陷，值得解決。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]為了克服現(xiàn)有的技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種戰(zhàn)術(shù)燈的強(qiáng)弱光控制電路。
[0005]本實(shí)用新型技術(shù)方案如下所述:
[0006]戰(zhàn)術(shù)燈的強(qiáng)弱光控制電路，包括電源、開(kāi)關(guān)、集成芯片、三極管、發(fā)光二極管、電感以及檢測(cè)電阻，其特征在于，所述電源的正極輸出端經(jīng)所述開(kāi)關(guān)后依次與所述電感、所述發(fā)光二極管和所述三極管的集電極連接，所述電源的正極輸出端經(jīng)所述開(kāi)關(guān)后還與所述集成芯片連接，所述集成芯片的輸出端連接所述三極管的基極，所述三極管的發(fā)射極經(jīng)所述檢測(cè)電阻后接地；
[0007]所述檢測(cè)電阻的電壓反饋到所述集成芯片后，所述集成芯片調(diào)整PffM占空比。
[0008]進(jìn)一步的，所述集成芯片內(nèi)設(shè)有基準(zhǔn)電壓，所述集成芯片通過(guò)比較所述基準(zhǔn)電壓和所述檢測(cè)電阻的電壓調(diào)整所述PWM占空比。
[0009]進(jìn)一步的，所述三極管為NPN型三極管。
[0010]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其有益效果在于，本實(shí)用新型通過(guò)檢測(cè)電阻上的電壓來(lái)檢測(cè)發(fā)光二極管的電流，并于單片機(jī)內(nèi)部的基準(zhǔn)值比較，通過(guò)調(diào)整PWM占空比來(lái)調(diào)整發(fā)光二極管的電流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)恒流。本實(shí)用新型使用電子元件少，成本低、產(chǎn)熱少；整體電路簡(jiǎn)單，易生產(chǎn)，并且可靠性高，檢測(cè)精度高。
【【附圖說(shuō)明】】
[0011]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的電路原理圖。
[0012]在圖中，S1、開(kāi)關(guān)；IC2、集成芯片；Q1、三極管；L1、電感；LED、發(fā)光二極管；R1、檢測(cè)電阻。
【【具體實(shí)施方式】】
[0013]下面結(jié)合附圖以及實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的描述:
[0014]如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種戰(zhàn)術(shù)燈的強(qiáng)弱光控制電路，包括電源、開(kāi)關(guān)、集成芯片、三極管、發(fā)光二極管、電感以及檢測(cè)電阻，電源的正極輸出端經(jīng)開(kāi)關(guān)后依次與所述電感、發(fā)光二極管和三極管的集電極連接，電源的正極輸出端經(jīng)開(kāi)關(guān)后還與集成芯片連接，集成芯片的輸出端連接三極管的基極，三極管的發(fā)射極經(jīng)檢測(cè)電阻后接地；檢測(cè)電阻的電壓反饋到集成芯片后，集成芯片調(diào)整PWM占空比。
[0015]優(yōu)選的，集成芯片內(nèi)設(shè)有基準(zhǔn)電壓，集成芯片通過(guò)比較基準(zhǔn)電壓和檢測(cè)電阻的電壓調(diào)整PffM占空比。
[0016]優(yōu)選的，三極管為NPN型三極管。
[0017]本實(shí)施例具體的工作原理為:
[0018]開(kāi)關(guān)SI接通，電路接通、上電，集成芯片IC2的第2腳按照設(shè)定輸出PffM信號(hào)，進(jìn)而三極管Ql導(dǎo)通，電感LI進(jìn)行充電，同時(shí)給發(fā)光二極管LED供電。通過(guò)檢測(cè)檢測(cè)電阻Rl上的電壓來(lái)檢測(cè)發(fā)光二極管LED的電流，通過(guò)AD輸入檢測(cè)，并與單片機(jī)內(nèi)設(shè)置的基準(zhǔn)值比較，若發(fā)光二極管LED的電流過(guò)大或過(guò)小，通過(guò)調(diào)整PffM的占空比，從而控制發(fā)光二極管LED的電流變小或變大，實(shí)現(xiàn)恒流。由上可知，可通過(guò)調(diào)整PWM的占空比，來(lái)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)弱光，調(diào)整發(fā)光二極管LED的亮度。
[0019]本實(shí)用新型使用電子元件少，成本低、產(chǎn)熱少；整體電路簡(jiǎn)單，易生產(chǎn)，并且可靠性高，檢測(cè)精度高。
[0020]應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
[0021]上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型專利進(jìn)行了示例性的描述，顯然本實(shí)用新型專利的實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實(shí)用新型專利的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本實(shí)用新型專利的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.戰(zhàn)術(shù)燈的強(qiáng)弱光控制電路，包括電源、開(kāi)關(guān)、集成芯片、三極管、發(fā)光二極管、電感以及檢測(cè)電阻，其特征在于，所述電源的正極輸出端經(jīng)所述開(kāi)關(guān)后依次與所述電感、所述發(fā)光二極管和所述三極管的集電極連接，所述電源的正極輸出端經(jīng)所述開(kāi)關(guān)后還與所述集成芯片連接，所述集成芯片的輸出端連接所述三極管的基極，所述三極管的發(fā)射極經(jīng)所述檢測(cè)電阻后接地； 所述檢測(cè)電阻的電壓反饋到所述集成芯片后，所述集成芯片調(diào)整PWM占空比。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的戰(zhàn)術(shù)燈的強(qiáng)弱光控制電路，其特征在于，所述集成芯片內(nèi)設(shè)有基準(zhǔn)電壓，所述集成芯片通過(guò)比較所述基準(zhǔn)電壓和所述檢測(cè)電阻的電壓調(diào)整所述PWM占空比。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的戰(zhàn)術(shù)燈的強(qiáng)弱光控制電路，其特征在于，所述三極管為NPN型三極管。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了戰(zhàn)術(shù)燈的強(qiáng)弱光控制電路，包括電源、開(kāi)關(guān)、集成芯片、三極管、發(fā)光二極管、電感、檢測(cè)電阻，電源的正極輸出端經(jīng)開(kāi)關(guān)后依次與電感、發(fā)光二極管和三極管的集電極連接，電源的正極輸出端經(jīng)開(kāi)關(guān)后還與集成芯片連接，集成芯片的輸出端連接三極管的基極，三極管的發(fā)射極經(jīng)檢測(cè)電阻后接地；檢測(cè)電阻的電壓反饋到集成芯片，集成芯片根據(jù)檢測(cè)電阻的電壓調(diào)整PWM占空比。本實(shí)用新型使用電子元件少，成本低、產(chǎn)熱少；整體電路簡(jiǎn)單，易生產(chǎn)，并且可靠性高，檢測(cè)精度高。
【IPC分類】H05B37/02
【公開(kāi)號(hào)】CN204810598
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520325910
【發(fā)明人】許健, 陳忠, 任華緯
【申請(qǐng)人】深圳尚萊特照明技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年5月20日