本發(fā)明是有關(guān)于一種非易失性存儲器，且特別是有關(guān)于一種電阻式隨機存取存儲器。

背景技術(shù)：

由于非易失性存儲器具有數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點，因此許多電器產(chǎn)品中必須具備此類存儲器，以維持電器產(chǎn)品開機時的正常操作。目前，業(yè)界積極發(fā)展的一種非易失性存儲元件是電阻式隨機存取存儲器(resistive random access memory，簡稱RRAM)，其具有寫入操作電壓低、寫入抹除時間短、記憶時間長、非破壞性讀取、多狀態(tài)記憶、結(jié)構(gòu)簡單以及所需面積小等優(yōu)點，因此在未來將可成為個人電腦和電子設(shè)備所廣泛采用的非易失性存儲元件之一。然而，如何進(jìn)一步地提高電阻式非易失性存儲器的數(shù)據(jù)維持能力(retention)為目前業(yè)界積極追求的目標(biāo)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種電阻式隨機存取存儲器，其可具有較佳的數(shù)據(jù)維持能力。

本發(fā)明提出一種電阻式隨機存取存儲器，包括基板、導(dǎo)電層、電阻轉(zhuǎn)態(tài)層、含銅氧化物層與電子供應(yīng)層。導(dǎo)電層設(shè)置于基板上。電阻轉(zhuǎn)態(tài)層設(shè)置于導(dǎo)電層上。含銅氧化物層設(shè)置于電阻轉(zhuǎn)態(tài)層上。電子供應(yīng)層設(shè)置于含銅氧化物層上。

基于上述，在本發(fā)明所提出的電阻式隨機存取存儲器中，在低電阻狀態(tài)時，電子供應(yīng)層可提供電子來抑制銅燈絲的擴(kuò)散，進(jìn)而使得電阻式隨機存取存儲器能具有較佳的數(shù)據(jù)維持能力。另外，電阻式隨機存取存儲器中的電子供應(yīng)層也可用于補捉氧，以阻止氧擴(kuò)散至大氣中，進(jìn)而使得電阻式隨機存取存儲器可具有較佳的耐用性(endurance)。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合 附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例的電阻式隨機存取存儲器的剖面圖；

圖2為本發(fā)明另一實施例的電阻式隨機存取存儲器的剖面圖；

圖3為樣品1在銅燈絲形成過程(forming process)的操作電壓與電流的關(guān)系曲線圖；

圖4為樣品2在銅燈絲形成過程的操作電壓與電流的關(guān)系曲線圖；

圖5為樣品1的電阻轉(zhuǎn)態(tài)的電性曲線圖；

圖6為樣品2的電阻轉(zhuǎn)態(tài)的電性曲線圖；

圖7為樣品1在進(jìn)行耐用性測試時的電流與電阻轉(zhuǎn)態(tài)操作次數(shù)的關(guān)系曲線圖；

圖8為樣品2在進(jìn)行耐用性測試時的電流與電阻轉(zhuǎn)態(tài)操作次數(shù)的關(guān)系曲線圖；

圖9為樣品2在溫度為85℃下進(jìn)行數(shù)據(jù)維持能力測試時的電流與時間的關(guān)系曲線圖；

圖10為樣品2在溫度為200℃下進(jìn)行數(shù)據(jù)維持能力測試時的電流與時間的關(guān)系曲線圖；

圖11為電阻式隨機存取存儲器中的氧元素分布關(guān)系圖，其中圖11中的照片圖為樣品2室溫時的穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope，簡稱TEM)的圖像圖，圖11中的曲線圖為以X光光電子能譜分析儀對樣品2室溫時進(jìn)行分析后所得的氧元素分布比例分析圖；

圖12為電阻式隨機存取存儲器中的氧元素分布關(guān)系圖，其中圖12中的照片圖為樣品2經(jīng)過升溫測試后的穿透式電子顯微鏡的圖像圖，圖12中的曲線圖為以X光光電子能譜分析儀對樣品2經(jīng)過升溫測試后進(jìn)行分析后所得的氧元素分布比例分析圖。

附圖標(biāo)記說明：

100、200：電阻式隨機存取存儲器；

110：基板；

120、120a、120b、120c：導(dǎo)電層；

130：電阻轉(zhuǎn)態(tài)層；

140：含銅氧化物層；

150：電子供應(yīng)層；

160：介電層。

具體實施方式

圖1為本發(fā)明一實施例的電阻式隨機存取存儲器的剖面圖，請參照圖1，電阻式隨機存取存儲器100包括基板110、導(dǎo)電層120、電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130、含銅氧化物層140與電子供應(yīng)層150。基板110例如是硅基板等半導(dǎo)體基板。

導(dǎo)電層120設(shè)置于基板110上，可用以作為電阻式隨機存取存儲器100的下電極使用。導(dǎo)電層120可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在此實施例中，導(dǎo)電層120是以多層結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不以此為限。舉例來說，導(dǎo)電層120可包括導(dǎo)電層120a、導(dǎo)電層120b及導(dǎo)電層120c。導(dǎo)電層120的材料例如是鈦、氮化鈦、白金、鋁、鎢、銥、氧化銥、釕、鉭、氮化鉭、鎳、鉬、鋯、銦錫氧化物或摻雜半導(dǎo)體(如，摻雜多晶硅)。導(dǎo)電層120的厚度例如是1納米至500納米。導(dǎo)電層120的形成方法例如是交流磁控濺鍍法、原子層沉積法或電子束蒸鍍法。

電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130設(shè)置于導(dǎo)電層120上。電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130的材料例如是二氧化鉿、氧化鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化錫、氧化鋅、氮化鋁或氮化硅。電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130的厚度例如是1納米至100納米。電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130的形成方法例如是等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法、原子層沉積法、交流磁控濺鍍法或電子束蒸鍍法。電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130的沉積溫度范圍例如是100℃至500℃。此外，可利用高溫爐管對電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130進(jìn)行退火處理。此外，當(dāng)電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130的材料采用如氮化硅、二氧化鉿、氧化鋁等致密結(jié)構(gòu)的材料時，可抑制銅燈絲在電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130中進(jìn)行擴(kuò)散，進(jìn)而使得本發(fā)明的電阻式隨機存取存儲器100能有較好的數(shù)據(jù)維持能力。

含銅氧化物層140設(shè)置于電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130上。含銅氧化物層140的材料例如是氧化銅鈦、氧化銅鉭、氧化銅鋁、氧化銅鈷、氧化銅鎢、氧化銅銥、氧化銅釕、氧化銅鎳、氧化銅鉬、氧化銅鋯或銦錫氧化銅。含銅氧化物層140的厚度例如是1納米至100納米。含銅氧化物層140的形成方法例如是交流 磁控濺鍍法或電子束蒸鍍法。含銅氧化物層140可提供銅離子作為電阻態(tài)轉(zhuǎn)換使用。

當(dāng)施加正偏壓于電阻式隨機存取存儲器100的電子供應(yīng)層150時，含銅氧化物層140中的銅離子會在電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130中還原成銅原子而形成銅燈絲，使得電阻式隨機存取存儲器100的電阻值下降，而成為低電阻狀態(tài)(Low Resistance State，簡稱LRS)。當(dāng)施加負(fù)偏壓于電阻式隨機存取存儲器100的電子供應(yīng)層150時，則銅燈絲中的銅原子會氧化成銅離子，而造成銅燈絲斷裂，使得電阻式隨機存取存儲器100的電阻值上升，而成為高電阻狀態(tài)(High Resistance State，簡稱HRS)。

電子供應(yīng)層150設(shè)置于含銅氧化物層140上。電子供應(yīng)層150的材料例如是銅鈦合金、氮化銅鈦、銅鋁合金、銅鎢合金、銅銥合金、氧化銅銥、銅合釕金、銅鉭合金、氮化銅鉭、銅鎳合金、銅鉬合金、銅鋯合金或銦錫氧化銅。電子供應(yīng)層150的厚度例如是1納米至1000納米。電子供應(yīng)層150的形成方法例如是交流磁控濺鍍法、原子層沉積法或電子束蒸鍍法。

電子供應(yīng)層150的主要功能說明如下。當(dāng)電阻式隨機存取存儲器100為低電阻狀態(tài)時，銅原子形成的銅燈絲會隨著時間而向外擴(kuò)散。由于電子供應(yīng)層150可提供電子給銅燈絲，以抑制銅燈絲的擴(kuò)散，進(jìn)而使得電阻式隨機存取存儲器100能具有較佳的數(shù)據(jù)維持能力。此外，電子供應(yīng)層150也可用于補捉氧，以使得氧化還原反應(yīng)能夠持續(xù)的進(jìn)行，進(jìn)而使得本發(fā)明的電阻式隨機存取存儲器100能有較佳的耐用性。此外，電子供應(yīng)層150也可作為電阻式隨機存取存儲器100的上電極層使用。

此外，電阻式隨機存取存儲器100還可包括介電層160。介電層160設(shè)置于基板110與導(dǎo)電層120之間。介電層160的材料例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等介電材料。介電層160的厚度例如是3納米至10納米。介電層160的形成方法例如是熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法。

基于上述實施例可知，在電阻式隨機存取存儲器100中，含銅氧化物層140可提供銅離子以形成銅燈絲，而使得電阻式隨機存取存儲器100成為低電阻狀態(tài)。在低電阻狀態(tài)時，電子供應(yīng)層150可提供電子來抑制銅燈絲的擴(kuò)散，進(jìn)而使得電阻式隨機存取存儲器100能具有較佳的數(shù)據(jù)維持能力。另外，電阻式隨機存取存儲器100中的電子供應(yīng)層150也可用于補捉氧，以阻止氧 擴(kuò)散至大氣中，進(jìn)而使得電阻式隨機存取存儲器100可具有較佳的耐用性。

圖2為本發(fā)明另一實施例的電阻式隨機存取存儲器的剖面圖，請同時參照圖1與圖2，圖2的電阻式隨機存取存儲器200與圖1的電阻式隨機存取存儲器100的差異在于：圖2的電阻式隨機存取存儲器200的導(dǎo)電層120為兩層結(jié)構(gòu)。詳言之，在電阻式隨機存取存儲器200中，導(dǎo)電層120包括導(dǎo)電層120a及導(dǎo)電層120b。除此之外，圖2的電阻式隨機存取存儲器200與圖1的電阻式隨機存取存儲器100的其他構(gòu)件的配置方式、材料、形成方法與功效相似，故使用相同標(biāo)號表示并省略其說明。

實驗例

以下，通過實驗例對本實施例的電阻式隨機存取存儲器的特性進(jìn)行更具體的說明。在以下實驗例中，樣品1具有圖1的電阻式隨機存取存儲器100的結(jié)構(gòu)，且樣品2具有圖2的電阻式隨機存取存儲器200的結(jié)構(gòu)。首先，說明樣品1與樣品2的制造方式與相關(guān)的參數(shù)條件，但本發(fā)明的電阻式隨機存取存儲器的制造方法并不以此為限。

樣品1：

提供經(jīng)RCA(Radio Corporation of America，美國無線電公司)清潔步驟清洗過的硅基板，以作為基板110。接著，利用高溫爐管于基板110上成長200納米厚的二氧化硅薄膜，以作為介電層160。再來，利用電子束蒸鍍法于介電層160上成長15納米厚的鈦薄膜及30納米厚的白金薄膜，以分別作為導(dǎo)電層120a及導(dǎo)電層120b，其中導(dǎo)電層120b(白金薄膜)可通過導(dǎo)電層120a(鈦薄膜)穩(wěn)定地附著于介電層160上。然后，利用原子層沉積法，以四二甲胺基化鈦(Ti[N(CH₃)₂]₄；TDMAT)作為前驅(qū)物，并使用氮氣等離子體與四二甲胺基化鈦反應(yīng)，在沉積溫度為250℃且工作壓力為0.3Torr的環(huán)境下，在導(dǎo)電層120b上成長10納米的氮化鈦薄膜，以作為導(dǎo)電層120c。之后，利用等離子體輔助化學(xué)沉積法，采用SiH₄與NH₃作為反應(yīng)氣體，并使用Ar等離子體增加反應(yīng)速率，在沉積溫度為300℃且工作壓力為1.3Torr的環(huán)境下，在導(dǎo)電層120c上沉積氮化硅薄膜，以作為電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130。再于真空環(huán)境下，以交流磁控濺鍍法在氧氣氣氛中，在電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130上沉積銅薄膜，而形成經(jīng)氧摻雜的銅薄膜，以作為含銅氧化物層140。隨后，關(guān)閉氧氣氣氛并于含銅氧化物層140上成長銅鈦合金薄膜，以作為電子供應(yīng)層150，而完成樣品1的 制作。

樣品2：

樣品2與樣品1的差異如下：樣品2的導(dǎo)電層120為兩層結(jié)構(gòu)。詳言之，在樣品2中，導(dǎo)電層120包括導(dǎo)電層120a及導(dǎo)電層120b。此外，樣品2利用微影過程與蝕刻過程而圖案化為面積為2×2微米平方大小的交叉結(jié)構(gòu)(Cross Bar)圖案。另外，樣品2與樣品1的其他構(gòu)件的配置方式、材料、形成方法相似，故于此不再贅述。

圖3為樣品1在銅燈絲形成過程(forming process)的操作電壓與電流的關(guān)系曲線圖，請參照圖3，施加正極性偏壓于樣品1中的電子供應(yīng)層150，此時，導(dǎo)電層120c通過導(dǎo)電層120b接地。當(dāng)電壓增加時，電流也會增加。當(dāng)電流上升至限電流值(20μA)時，此時的偏壓值3.4V為銅燈絲形成時的形成電壓(forming voltage)。之后，仍須增加偏壓以完成電阻的轉(zhuǎn)態(tài)，使電阻式隨機存取存儲器的電阻值由初始的高電阻狀態(tài)(HRS)轉(zhuǎn)換到低電阻狀態(tài)(LRS)。

圖4為樣品2在銅燈絲形成過程的操作電壓與電流的關(guān)系曲線圖，請參照圖4。施加正極性偏壓于樣品2中的電子供應(yīng)層150，此時，導(dǎo)電層120b接地。當(dāng)電壓增加時，電流也會增加。當(dāng)電流上升至限電流值(10nA)時，此時的偏壓2.2V為形成電壓。之后，仍須增加偏壓以完成電阻的轉(zhuǎn)態(tài)，使電阻式隨機存取存儲器的電阻值由初始的高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換到低電阻狀態(tài)。

由圖3和圖4可知，相較于面積較大的樣品1，面積較小的樣品2具有較低的限電流值。

圖5為樣品1的電阻轉(zhuǎn)態(tài)的電性曲線圖，請參照圖5，施加正直流偏壓于樣品1中的電子供應(yīng)層150。當(dāng)施加從0V到1V的偏壓時，電流值開始上升，此現(xiàn)象顯示出樣品1的電阻值隨著正偏壓的增加而下降。當(dāng)持續(xù)施加正偏壓到3V后，將施加的偏壓由3V掃回至0V，可發(fā)現(xiàn)當(dāng)施加偏壓由0V到1V時的電壓-電流曲線(I-V curve)與反向由1V到0V的電流曲線并未重疊，此現(xiàn)象顯示出電阻的轉(zhuǎn)態(tài)已經(jīng)發(fā)生。也即，由高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)態(tài)到低電阻狀態(tài)。接著，施加負(fù)直流偏壓于電子供應(yīng)層150上，當(dāng)施加偏壓從0V到-1V時，電流值開始上升，此現(xiàn)象顯示出樣品1的電阻值隨著負(fù)偏壓的增加而下降。當(dāng)持續(xù)施加負(fù)偏壓到達(dá)-1V之后，樣品1產(chǎn)生第一次的電流值下降，而后繼續(xù)將負(fù)偏壓增大至-2V，電流值繼續(xù)下降。之后，將施加的偏壓由-2V增加到 0V，可發(fā)現(xiàn)當(dāng)施加偏壓由0V到-2V時的電壓-電流曲線與與反向由-2V到0V的電流曲線并未重疊，此現(xiàn)象顯示出樣品1已由低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)態(tài)到高電阻狀態(tài)。

圖6為樣品2的電阻轉(zhuǎn)態(tài)的電性曲線圖，請參照圖6，施加一正直流偏壓于樣品2中的電子供應(yīng)層150上。當(dāng)施加從0V到1.6V的偏壓時，電流值開始上升，此現(xiàn)象顯示出樣品2的電阻值隨著正偏壓的增加而下降。當(dāng)持續(xù)施加正偏壓到3V后，將施加的偏壓由3V掃回至0V，可發(fā)現(xiàn)當(dāng)施加偏壓由0V到1.6V時的電壓-電流曲線與反向由1.6V到0V的電流曲線并未重疊，此現(xiàn)象顯示出電阻的轉(zhuǎn)態(tài)已經(jīng)發(fā)生。也即，就是由高電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)態(tài)到低電阻狀態(tài)。接著，施加負(fù)直流偏壓于電子供應(yīng)層150上，當(dāng)施加偏壓從0V到-1.8V時，電流值開始上升，此現(xiàn)象顯示出樣品2的電阻值隨著負(fù)偏壓的增加而下降。當(dāng)持續(xù)施加負(fù)偏壓到達(dá)-1.8V之后，樣品2產(chǎn)生第一次的電流值下降，而后繼續(xù)將負(fù)偏壓增大至-2.5V，電流值繼續(xù)下降。之后，將施加的偏壓由-2.5V增加到0V，可發(fā)現(xiàn)當(dāng)施加偏壓由0V到-2.5V時的電壓-電流曲線與反向由-2.5V到0V的電流曲線并未重疊，此現(xiàn)象顯示出樣品2已由低電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)態(tài)到高電阻狀態(tài)。

圖7為樣品1在進(jìn)行耐用性測試時的電流與電阻轉(zhuǎn)態(tài)操作次數(shù)的關(guān)系曲線圖，請參照圖7，對樣品1中的電子供應(yīng)層150上施加偏壓，且導(dǎo)電層120c通過導(dǎo)電層120b接地，其中高電阻狀態(tài)與低電阻狀態(tài)的電流值皆在0.3V的偏壓下進(jìn)行讀取。在超過1000次以上的連續(xù)轉(zhuǎn)態(tài)操作下，高電阻狀態(tài)與低電阻狀態(tài)的電阻比值仍大于200。由此可知，樣品1具有優(yōu)異的耐用性。

圖8為樣品2在進(jìn)行耐用性測試時的電流與電阻轉(zhuǎn)態(tài)操作次數(shù)的關(guān)系曲線圖，請參照圖8，對樣品2中的電子供應(yīng)層150上施加偏壓，且導(dǎo)電層120b接地，其中高電阻狀態(tài)與低電阻狀態(tài)的電流值皆在0.1V的偏壓下讀取。在超過1000次以上的連續(xù)轉(zhuǎn)態(tài)操作下，高電阻狀態(tài)與低電阻狀態(tài)的電阻比值仍大于10。由此可知，樣品2具有優(yōu)異的耐用性。

圖9為樣品2在溫度為85℃下進(jìn)行數(shù)據(jù)維持能力測試時的電流與時間的關(guān)系曲線圖，請參照圖9，利用圖6的實驗例中的抹除與寫入電壓值，將樣品2分別轉(zhuǎn)態(tài)至低電阻狀態(tài)與高電阻狀態(tài)。之后，在低電阻狀態(tài)與高電阻狀態(tài)下，每隔一段時間以0.3V電壓讀取在低電阻狀態(tài)與高電阻狀態(tài)下的電流 值。測試結(jié)果顯示樣品2在85℃的溫度下放置10⁵秒后，仍可正確讀取數(shù)據(jù)且無任何存儲特性劣化產(chǎn)生。此外，高電阻狀態(tài)與低電阻狀態(tài)之間具有大于10³的電阻比值。

圖10為樣品2在溫度為200℃下進(jìn)行數(shù)據(jù)維持能力測試時的電流與時間的關(guān)系曲線圖，請參照圖10，利用圖6的實驗例中的抹除與寫入電壓值，將樣品2分別轉(zhuǎn)態(tài)至低電阻狀態(tài)與高電阻狀態(tài)。之后，在低電阻狀態(tài)與高電阻狀態(tài)下，每隔一段時間以0.3V電壓讀取在低電阻與高電阻記憶狀態(tài)下的電流值。測試結(jié)果顯示樣品2在200℃的溫度下可以維持記憶狀態(tài)達(dá)8×10³秒。此外，高電阻狀態(tài)與低電阻狀態(tài)之間具有大于10⁴的電阻比值。

圖11中的照片圖為樣品2室溫時的穿透式電子顯微鏡的圖像圖，圖11中的曲線圖為以X光光電子能譜分析儀對樣品2室溫時進(jìn)行分析后所得的氧元素分布比例分析圖。圖12中的照片圖為樣品2經(jīng)過升溫測試后的穿透式電子顯微鏡的圖像圖，圖12中的曲線圖為以X光光電子能譜分析儀對樣品2經(jīng)過升溫測試后進(jìn)行分析后所得的氧元素分布比例分析圖。

請參照圖11，在樣品2尚未進(jìn)行銅燈絲形成之前，使用穿透式電子顯微鏡取得樣品2中的電子供應(yīng)層150、含銅氧化物層140與電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130的圖像，且使用X光光電子能譜分析儀對樣品2中的電子供應(yīng)層150、含銅氧化物層140與電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130進(jìn)行氧元素比例分析。分析結(jié)果發(fā)現(xiàn)在電子供應(yīng)層150與含銅氧化物層140的介面處的氧元素比例的峰值為10.83％。

請參照圖12，樣品2在經(jīng)過不同溫度的加速測試(最高溫度達(dá)200℃)后，由低電阻狀態(tài)自行轉(zhuǎn)換至高電阻狀態(tài)。之后，使用穿透式電子顯微鏡取得樣品2中的電子供應(yīng)層150、含銅氧化物層140與電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130的圖像，且使用X光光電子能譜分析儀對樣品2中的電子供應(yīng)層150、含銅氧化物層140與電阻轉(zhuǎn)態(tài)層130進(jìn)行氧元素比例分析。分析結(jié)果發(fā)現(xiàn)氧元素分布在電子供應(yīng)層150與含銅氧化物層140的介面處的氧元素比例的峰值為23.23％。

由圖11與圖12的結(jié)果可知，經(jīng)過高溫加速測試后，在電子供應(yīng)層150與含銅氧化物層140的介面處的氧元素增加比例為114％，可間接證明電子供應(yīng)層150確實具有補捉氧的效果，而可有效抑制含銅氧化物層140中的氧逸失現(xiàn)象，進(jìn)而能夠有效地提升電阻式隨機存取存儲器的耐用性。

綜上所述，上述實施例的電阻式隨機存取存儲器至少具有以下特點。電 阻式隨機存取存儲器中的電子供應(yīng)層可提供電子來抑制銅燈絲的擴(kuò)散，進(jìn)而使得電阻式隨機存取存儲器能具有較佳的數(shù)據(jù)維持能力。另外，電阻式隨機存取存儲器中的電子供應(yīng)層亦可用于補捉氧，以阻止氧擴(kuò)散至大氣中，進(jìn)而使得電阻式隨機存取存儲器可具有較佳的耐用性(endurance)。

最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。